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摘要：針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述，最后總結(jié)了高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。引言 隨著我國高鐵、航天、軍工等領(lǐng)域的快速發(fā)展，未來對大功率電力電子器件的需求也將越來越大。為了適應(yīng)更加復雜、苛刻的應(yīng)用條件，大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展，這對整個電子器件的散熱提出了嚴峻的挑戰(zhàn)，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片產(chǎn)生的熱量，并傳到熱沉上，實現(xiàn)與外界的熱交換 ，所以制備高熱導率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有
2022-12-09 http://m.nimazhi.cn/Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述，最后總結(jié)了高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。
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