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[常見問題]氮化鋁陶瓷基板解決UVC紫光LED的散熱問題

氮化鋁陶瓷基板解決UVC紫光LED的散熱問題LED照明不斷發(fā)展，功率要求越來越高，大功率的LED照明用具，功率大了，那么散熱問題也隨之而來了。傳統(tǒng)的LED照明廠家多采用是銅基板、或者FR4基板，散熱效果不佳，容易老化，容易出現(xiàn)短路。UVC紫光LED也是，如果采用一般的銅基板，散熱問題就不能很好的解決，但是采用氮化鋁陶瓷基板制作的芯片，就能很好的解決UVC紫光照明的燒熱問題。一，深紫外UVCLED存在的問題散熱不足 UVC-LED對熱敏感高，由于UVC-LED的外量子效率（EQE）較低，在輸入的功率中，大約只有1-3％被轉(zhuǎn)換成光，而剩余的97％左右則基本被轉(zhuǎn)換成熱量。倘若不能及時的將熱量發(fā)散，保持LED芯片低于其最大工作溫度，將直接影響芯片的使用壽命

2022-09-21 http://m.nimazhi.cn/Article/danhualvtaocijibanjib.html
[常見問題]氮化鋁陶瓷基板關鍵制備工藝的研究

氮化鋁陶瓷基板關鍵制備工藝的研究前言氮化鋁（AlN）陶瓷作為一種導熱率高，熱膨脹系數(shù)與硅半導體接近的材料，具備良好的絕緣和機械性能，在高頻通信、LED照明、新能源汽車、高鐵、風能和光伏發(fā)電等新興領域的商業(yè)化應用逐漸普及。由于AlN材料制作工藝比較復雜，生產(chǎn)成本較高，目前大部分國產(chǎn)AlN材料尚達不到高導熱、高強度的應用要求。本文針對適合批量生產(chǎn)AlN陶瓷的常壓燒結(jié)工藝進行探討分析，研究不同工藝條件對AlN性能的影響。氮化鋁陶瓷的制備1、原材料準備本實驗采用自制高純AlN粉體進行制備。采用Malvern MS2000型激光粒度儀測量AlN粉體平均粒度（D50）為1.2μm。采用SU8010型掃描電子顯微鏡觀察顆粒形貌，如圖1所示，該粉體顆粒多數(shù)呈球狀，尺寸在0.3μ

2022-03-24 http://m.nimazhi.cn/Article/danhualvtaocijibangu.html
[常見問題]氮化鋁陶瓷基板的成本貴的“理由”

氮化鋁陶瓷在集成電路應用廣泛，電子封裝、半導體器件、模組等產(chǎn)品上面起著關鍵的導熱和絕緣左右，是公認的高導熱陶瓷基板材料和絕緣材料。金瑞欣小編今天從氮化鋁陶瓷基板的制備過程告訴你氮化鋁陶瓷基板成本貴的原因。

2021-12-08 http://m.nimazhi.cn/Article/danhualvtaocijibandecheng.html
[常見問題]高導熱氮化鋁陶瓷基板三大金屬化工藝

高導熱氮化鋁陶瓷基板金屬化后具備更好的電氣性能，可以通電和導電、散熱，同時具備很好的絕緣性和較低的熱膨脹系數(shù)、低的介質(zhì)損耗等。那么高導熱氮化鋁陶瓷基板金屬化工藝是哪些工藝可以實現(xiàn)？

2021-10-27 http://m.nimazhi.cn/Article/gaodaoredanhualvtaocj.html
[常見問題]高質(zhì)量深紫外LED封裝陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和封裝方法

深紫外LED封裝陶瓷基板出光率高，量子質(zhì)量好，工作溫度低，提供的深紫外LED大功率光功率密度,也極大改善了器件的可靠性.小編將簡述深紫外LED封裝陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和封裝方法。

2021-10-21 http://m.nimazhi.cn/Article/gaozhiliangshenziwai.html
[常見問題]如何燒結(jié)制備氮化鋁陶瓷基板

如何燒結(jié)制備氮化鋁陶瓷基板氮化鋁陶瓷基板是電子信息行業(yè)中大規(guī)模集成電路封裝、散熱基板用關鍵材料，在國計民生的各行各業(yè)擁有廣泛的應用領域，如國家鼓勵實施的集成電路升級、LED照明、電子及微電子封裝、功率封裝，如晶閘管、整流管等；包括大功率器件、電力電子器件；汽車電子的IGBT及MOSFET功率模塊封裝等。

2021-04-22 http://m.nimazhi.cn/Article/ruheshaojiezhibeidan.html
[常見問題]高導熱氮化鋁陶瓷基板金屬化工藝

氮化鋁陶瓷基板金屬化后具備更好的導熱性能和電氣性能，有利于更好的焊接，今天小編就來看看高導熱氮化鋁陶瓷基板金屬化的種類以及工藝。一，耐高溫氮化鋁陶瓷金屬化基板耐高溫氮化鋁陶瓷基板就是高導熱氮化鋁陶瓷基板，具備較高的導熱能力。一般金屬化都是經(jīng)過鍍銅、鍍金、覆銅、沉金等。二，氮化鋁陶瓷基板金屬化1，氮化鋁陶瓷基板金屬化國家標準氮化鋁陶瓷基板金屬化，都是按照客戶的要求以及現(xiàn)有的制程能力來做的，沒錢沒有確定的國家標準。一般都是常規(guī)的金屬化厚度，特殊的只要是能做都沒有問題的。2，氮化鋁陶瓷基板鍍金鍍金一般在1微米以下，鍍金的成本一般沉金低。3，氮化鋁陶瓷基板沉金氮化鋁陶瓷基板沉金，一般金厚2微米有以上，就沉金。3，氮化鋁陶瓷基板鍍層

2021-04-21 http://m.nimazhi.cn/Article/gaodaoredanhualvtaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷散熱基板是大功率封裝器件的首選散熱基板

氮化鋁陶瓷散熱基板是大功率封裝器件的首選散熱基板氮化鋁陶瓷散熱基板是大功率器件、LED大功率封裝的散熱基板，這樣是基于氮化鋁陶瓷基板具備很高的導熱能力，導熱率可達170W以上，是氧化鋁陶瓷基板導熱的5倍以上,是普通PCB散熱的100倍，遠遠的超越銅基板、鋁基板以及PCB的散熱能力。氮化鋁陶瓷散熱基板經(jīng)過氮化鋁陶瓷基板金屬化后導熱能力

2021-04-01 http://m.nimazhi.cn/Article/danhualvtaocisanreji.html
[常見問題]高導熱氮化鋁陶瓷基板是這樣燒結(jié)出來的！

高導熱氮化鋁陶瓷基板是優(yōu)良的電子封裝散熱材料，是組裝大型集成電路所必須高性能陶瓷材料，主要是因為它能有效地散除大型集成電路的熱量。高導氮化鋁陶瓷基板單晶體的熱導率最高可以達到319W/(m·K)。導熱率高，優(yōu)良的電器性能、耐腐蝕性能、高溫絕緣性能是氮化鋁陶瓷基板很重要的電器性能特征。在電子產(chǎn)品的發(fā)展起到了非常重要的作用。一，AlN氮化鋁陶瓷基板的導熱機理在氮化鋁一系列重要的性質(zhì)中，最為顯著的是較高的熱導率。關于氮化鋁的導熱機理，國內(nèi)外已做了大量研究，并已形成了較為完善的理論體系。主要機理為：通過點陣或晶格振動，即借助晶格波或熱波進行熱傳遞。量子力學的研究結(jié)果表明，晶格波可以作為一種粒子?聲子的運動來處理。熱波同樣具有波粒二象性。載熱聲子通過結(jié)構(gòu)基元(原子、離子或分子)間進行相互制約、相互協(xié)調(diào)的振動來實現(xiàn)熱的傳遞

2021-02-24 http://m.nimazhi.cn/Article/gaodaoredanhualvtaoc.html
[常見問題]七大方面解析氮化鋁陶瓷基板的分類和特性

氮化鋁陶瓷基板在大功率器件模組，航天航空等領域備受歡迎，那么氮化鋁陶瓷基板都有哪些種分類以及氮化鋁陶瓷基板特性都體現(xiàn)在哪些方面？

2020-03-23 http://m.nimazhi.cn/Article/qidafangmianjiexidan.html
[常見問題]為什么氮化鋁陶瓷電路板是市場上導熱率最高的電路板？

市場上用戶需求量最多的氮化鋁陶瓷電路板，在大功率集成電路廣泛使用。采用的電路板材料一直沿用AL2O3和Beo陶瓷，但是AL2O3基板的導熱率低、熱膨脹系數(shù)與Si不太匹配；Beo雖然具有優(yōu)異的綜合性能，但其具有較高的生產(chǎn)成本和劇毒的缺點限制了它的應用推廣。因而無論是性能、成本、環(huán)保要求方面來看AL2O3和Beo陶瓷已經(jīng)不能滿足電子功率器件的發(fā)展和需求了，取而代之是氮化鋁陶瓷電路板。

2020-01-14 http://m.nimazhi.cn/Article/danhualvtaocijibanyo.html