[行業(yè)動態(tài)]高溫共燒氮化鋁陶瓷多層基板適應功率MCM的要求

高溫共燒氮化鋁陶瓷多層基板適應功率MCM的要求 一，AIN氮化鋁陶瓷多層基板在功率MCM有廣闊的發(fā)展前景電子設備向輕型、小型化、高密度、高可靠性發(fā)展，多芯片組裝得到快速發(fā)展。多層布線技術是多芯片的核心技術之一，隨著組裝密度的提高，IC芯片集成的提高，多芯片組裝的密度也越來越大，功率MCM產生。功率MCM要求多層基板材料具有熱導率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近等三個重要特征。AIN氮化鋁陶瓷因為具備熱導率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近，力學強度高、電性能優(yōu)良等綜合型優(yōu)點。是功率MCM首先的基板材料和封裝材料。由于AIN與SI熱膨脹系數(shù)相接近、使得AIN基板與SI產生的熱應力小。AIN克服了三氧化二鋁與SI熱膨脹系數(shù)不匹配的缺點，采用AIN做基板具備更好的可靠性。由于AIN熱阻比三氧化二鋁低，所

2021-10-30 http://m.nimazhi.cn/Article/gaowengongshaodanhua.html