AMB氮化硅陶瓷覆銅基板表面都是有一層銅的，同時(shí)讓氮化硅陶瓷基板有了更好的電氣性能。氮化硅陶瓷基板具有更好的可靠性和穩(wěn)定性，那么氮化硅陶瓷覆銅基板是采用AMB覆銅工藝具體是怎么制作的呢？有什么優(yōu)勢(shì)？

1，氮化硅陶瓷覆銅基板制作工藝AMB具備哪些優(yōu)勢(shì)?

    氮化硅陶瓷覆銅AMB制作工藝的陶瓷基板又稱(chēng)為AMB氮化硅陶瓷基板，目前采用AMB工藝的是氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。AMB氮化硅陶瓷覆銅基板，采用AMB工藝即為活性釬焊技術(shù)?；钚越饘兮F焊（Active Metal Bonding，AMB）覆銅技術(shù)，顧名思義，依靠活性金屬釬料實(shí)現(xiàn)氮化鋁與無(wú)氧銅的高溫冶金結(jié)合，以結(jié)合強(qiáng)度高、冷熱循環(huán)可靠性好等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注，應(yīng)用前景極為廣闊。

2，目前氮化硅陶瓷基板面臨的問(wèn)題和難度。

AMB覆銅工藝中，活性釬料成分、釬焊工藝、釬焊層組織結(jié)構(gòu)等諸多關(guān)鍵因素，會(huì)影響氮化硅陶瓷基板的可靠性。工藝難度較大制作成本比較高，國(guó)內(nèi)的技術(shù)相對(duì)國(guó)外來(lái)說(shuō)，還是有比較大的差距。

3，高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的應(yīng)用

氮化硅陶瓷基覆銅板在能源汽車(chē)、動(dòng)力機(jī)車(chē)、航空航天等領(lǐng)域的運(yùn)用；以高導(dǎo)熱、低膨脹的氮化鋁陶瓷基覆銅板最為突出的覆銅

板陶瓷材料。在IGBT、大功率模組方面目前應(yīng)用廣泛。

      目前氮化硅陶瓷覆銅基板，優(yōu)勢(shì)凸顯，相對(duì)于氮化鋁陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板具有更好的穩(wěn)定性，更高的機(jī)械強(qiáng)度。但是氮化硅陶瓷覆銅基板在高端領(lǐng)域有著不可替代的作用，更多氮化硅陶瓷覆銅基板可以咨詢(xún)金瑞欣特種電路。