氮化鋁陶瓷陶瓷amb工藝備受關(guān)注，工藝相對更加先進，被廣泛應用軌道交通、大功率電力半導體模塊、高頻開關(guān)、風力發(fā)電,新能源汽車、動力機車、航空航天等領(lǐng)域。今天小編就來分享一下:什么是氮化鋁陶瓷基板AMB工藝以及優(yōu)勢。

什么是amb氮化鋁覆銅陶瓷基板？

氮化鋁覆銅陶瓷基板是使用AMB(Active Metal Brazing)技術(shù)將銅箔釬焊到陶瓷表面的一種散熱基礎材料。相比于傳統(tǒng)的DBC基板，使用AMB工藝制得的氮化鋁覆銅陶瓷基板不僅具有更高的熱導率、銅層結(jié)合強度高等特點，而且其熱膨脹系數(shù)與硅接近，可應用于高電壓操作且沒有局部放電現(xiàn)象。以下是氮化鋁陶瓷基板 amb的技術(shù)參數(shù)：

關(guān)于覆銅陶瓷基板AMB工藝介紹：

 AMB （Active Metal Bonding，AMB|）的簡稱，就是活性金屬釬焊覆銅技術(shù)，顧名思義，依靠活性金屬釬料實現(xiàn)氮化鋁與無氧銅的高溫冶金結(jié)合，以結(jié)合強度高、冷熱循環(huán)可靠性好等優(yōu)點而備受關(guān)注，應用前景極為廣闊。但同時也應該看到，AMB工藝的可靠性很大程度上取決于活性釬料成分、釬焊工藝、釬焊層組織結(jié)構(gòu)等諸多關(guān)鍵因素，工藝難度大，而且還要兼顧成本方面的考慮。依據(jù)目前的市場調(diào)研結(jié)果來看，氮化鋁AMB覆銅板國內(nèi)相關(guān)研發(fā)機構(gòu)（生產(chǎn)企業(yè)）與國外競爭對手存在較大的技術(shù)差距。

氮化鋁陶瓷覆銅板是IGBT模塊領(lǐng)域的核心重要部件

氮化鋁陶瓷覆銅板是IGBT模塊的重要組成部件，其具有陶瓷的高導熱、高絕緣、高機械強度、低膨脹等特性，又兼具無氧銅的高導電性和優(yōu)異焊接性能，且能像PCB線路板一樣刻蝕出各種圖形。已成為新一代半導體（SiC）和新型大功率電力電子器件的首選封裝材料。

金瑞欣特種特種電路是專業(yè)的陶瓷基板生產(chǎn)廠家，主營氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板，陶瓷基板領(lǐng)域有深入的專研，氮化鋁陶瓷基板amb工藝，導熱更高，銅的結(jié)合更好。目前普通在使用的DPC工藝，DBC工藝以及高溫燒結(jié)我們目前也非常熟練。更多amb陶瓷基板的問題可以咨詢金瑞欣特種電路。