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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷PCB電路板：解鎖高功率電子設(shè)備的未來(lái)散熱與性能革命

在追求高性能、小型化的電子設(shè)備浪潮中，陶瓷PCB電路板正以卓越的導(dǎo)熱性、高頻穩(wěn)定性和耐極端環(huán)境能力，成為高功率電子設(shè)計(jì)的核心材料。無(wú)論是5G通信基站、新能源汽車的功率模塊，還是航空航天設(shè)備的精密電路，陶瓷PCB電路板憑借其獨(dú)特的材料優(yōu)勢(shì)，正在重新定義電子設(shè)備的可靠性與效率。

2025-02-06 http://m.nimazhi.cn/Article/taociPCBdianlubanjie.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電力機(jī)車?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動(dòng)以及并網(wǎng)技術(shù)、儲(chǔ)能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場(chǎng)合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http://m.nimazhi.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢(shì)；此外，因其加工過(guò)程能在一次升溫中完成，操作簡(jiǎn)便、時(shí)間周期短、封接性能好并且對(duì)陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國(guó)內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://m.nimazhi.cn/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]Si3N4 DBC和AMB陶瓷基板

隨著寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件往更高的功率密度，更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地也對(duì)于功率半導(dǎo)體模塊封裝的提出了更高的要求。包括我們前面聊到的無(wú)焊料，無(wú)鍵合線等互連技術(shù)趨勢(shì)外，絕緣基板的選擇也成為經(jīng)常討論的話題。

2023-10-23 http://m.nimazhi.cn/Article/Si3N4DBCheAMBtaociji.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板：高端IGBT模塊基板的應(yīng)用新趨勢(shì)

IGBT陶瓷襯板屬于新的工藝技術(shù)，其中AMB工藝技術(shù)的陶瓷襯板也逐步應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊上。IGBT散熱對(duì)于功率模塊的性能是非常重要的，目前國(guó)內(nèi)的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，但隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術(shù)的陶瓷基板能更好地解決上述痛點(diǎn)。

2023-08-02 http://m.nimazhi.cn/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]常見陶瓷基板PCB板介紹

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-06-16 http://m.nimazhi.cn/Article/changjiantaocijibanP.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過(guò)陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://m.nimazhi.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實(shí)現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://m.nimazhi.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

要有效解決器件的散熱問(wèn)題，必須選擇高導(dǎo)熱的基板材料。近年來(lái)已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http://m.nimazhi.cn/Article/danhuaguitaociban.html
[常見問(wèn)題]鋁碳化硅基板是什么，鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點(diǎn)

鋁碳化硅基板是什么，鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點(diǎn) 鋁碳化硅基板（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳，在軌道機(jī)車、飛機(jī)、半導(dǎo)體IGBT器件、軍工等產(chǎn)品領(lǐng)域被應(yīng)用。今天小編要分享的是鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點(diǎn)：一，鋁碳化硅基板的優(yōu)點(diǎn)1，AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，提高整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性2，AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K）能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC底板上。3，鋁碳化硅基板重量輕，硬度強(qiáng)，抗彎強(qiáng)度高、抗震效果好。在惡劣環(huán)境下的首選材料。此外，鋁碳化硅基板（AI/SiC）由于具

2022-10-19 http://m.nimazhi.cn/Article/lvtanhuaguijibanshis.html
[常見問(wèn)題]氮化硅陶瓷基板價(jià)格以及構(gòu)成

氮化硅陶瓷基板價(jià)格以及構(gòu)成氮化硅陶瓷基板高抗拉強(qiáng)度，耐磨損，耐高溫、在汽車電子、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體等器件封裝中應(yīng)用。那么對(duì)于要打樣加工氮化硅陶瓷基板的客戶來(lái)說(shuō)，除了關(guān)注交期和產(chǎn)品品質(zhì)、加工能力，對(duì)價(jià)格也是非常關(guān)注的。今天要分享的是氮化硅陶瓷基板價(jià)格以及構(gòu)成。一，氮化硅陶瓷基板價(jià)格氮化硅陶瓷基板加工成覆銅板或者電路板的價(jià)格是比較高的，氮化硅陶瓷基板打樣一款在5000元以上，打樣和批量?jī)r(jià)格也不同。二，影響氮化硅陶瓷基板價(jià)格的因素影響氮化鋁陶瓷基板價(jià)格的因素很多，首先是板材規(guī)格，不同的尺寸、厚度價(jià)格也不一樣，還有看加工的cps大小，這個(gè)會(huì)影響板材利用率的，板材利用率低，也就是cps尺寸大，那么基材耗費(fèi)就高，成本也高，氮化硅基板一張板材的成本就

2022-10-18 http://m.nimazhi.cn/Article/danhuaguitaocijibanjc.html
[常見問(wèn)題]鋁碳化硅基板與氮化硅基板的區(qū)別

鋁碳化硅基板與氮化硅基板的區(qū)別鋁碳化硅基板在軌道機(jī)車、飛機(jī)、半導(dǎo)體IGBT器件等產(chǎn)品領(lǐng)域被應(yīng)用，主要是因?yàn)殇X基碳化硅基板具備導(dǎo)熱率高、熱膨脹系數(shù)與芯片更匹配，重量輕、密度小、高硬度和高抗彎強(qiáng)度。那么鋁碳化硅基板和氮化硅基板有什么區(qū)別呢？一，鋁碳化硅基板的和氮化硅基板的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)鋁基碳化硅基板鋁碳化硅（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳。被應(yīng)用到軍工行業(yè)領(lǐng)域，有著非常重要的突出優(yōu)勢(shì)。1，AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，提高整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性2，AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K）能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，

2022-10-08 http://m.nimazhi.cn/Article/lvtanhuaguijibanyuda.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過(guò)共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒(méi)有粘結(jié)材料，在高溫服役過(guò)程中，往往會(huì)因?yàn)殂~和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性，將銅層通過(guò)活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://m.nimazhi.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]鋁碳化硅基板為何在IGBT底板應(yīng)用備受歡迎

鋁碳化硅基板為何在IGBT底板應(yīng)用備受歡迎IGBT模塊中的底板發(fā)揮著形成導(dǎo)熱通道、保證導(dǎo)熱性能、增強(qiáng)模塊機(jī)械性能的作用。底板材料一般用銅或者鋁基碳化硅（AlSiC），鋁碳化硅基板哪些優(yōu)勢(shì)適應(yīng)了IGBT底板的要求呢？一，什么是鋁碳化硅基板（AlSiC），有什么性能特點(diǎn) 鋁碳化硅（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳。鋁碳化硅早期應(yīng)用于美軍機(jī)雷達(dá)芯片襯底，用于替代鎢銅；替代后散熱效果優(yōu)異，并且使雷達(dá)整體減重10公斤，這使AlSiC材料得到了重視。二，鋁碳化硅基板有以下核心優(yōu)勢(shì)1) AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，提高整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性。2）AlSiC是復(fù)合

2022-09-06 http://m.nimazhi.cn/Article/lvtanhuaguijibanweihe.html
[常見問(wèn)題]amb陶瓷基板用在什么地方

amb陶瓷基板用在什么地方 amb陶瓷基板是活性釬焊工藝陶瓷基板，具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點(diǎn)。在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用，適應(yīng)半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)。Amb技術(shù)的優(yōu)勢(shì)AMB技術(shù)是在DBC（直接覆銅法）技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的。相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢(shì)。Amb陶瓷基板有哪些陶瓷材料根據(jù)陶瓷材質(zhì)的不同，目前成熟應(yīng)用的AMB陶瓷基板可分為：氧化鋁、氮化鋁和氮化硅基板。氧化鋁amb陶瓷基板考慮到導(dǎo)熱系數(shù)不高，散熱能力有限，但是成本較低，一般用于

2022-07-16 http://m.nimazhi.cn/Article/ambtaocijibanyongzai.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅陶瓷基板應(yīng)力新的發(fā)展前景

氮化硅陶瓷基板應(yīng)力新的發(fā)展前景最近幾年，氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料在我國(guó)得到了大力發(fā)展，要使用第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)出大功率半導(dǎo)體器件，如果沒(méi)有功率集成電路陶瓷基板，半導(dǎo)體器件的散熱效果將會(huì)大大降低、降低該器件的使用效果。陶瓷基板性能以及各類陶瓷基板性能參數(shù)對(duì)比：由于陶瓷基板具有延展性低和韌性低、耐高溫；較高的氣密性，可隔離水汽、氧氣和灰塵等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用到功率集成電路中。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有:氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)和碳化硅(SiC)等。無(wú)論是高鐵、新能源汽車、高端機(jī)床、風(fēng)力、光伏逆變，還是高端手機(jī)、消費(fèi)電子以及各種自動(dòng)化設(shè)備都需要電子電力集成電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，這是一個(gè)超千億級(jí)的大市場(chǎng)。在這個(gè)超級(jí)大市場(chǎng)中，功

2022-03-21 http://m.nimazhi.cn/Article/danhuaguitaocijibany.html
[常見問(wèn)題]氮化硅覆銅板需要檢測(cè)哪些性能

氮化硅覆銅板需要檢測(cè)哪些性能氮化硅陶瓷覆銅板材質(zhì)是氮化硅陶瓷基片，工藝是AMB活性釬焊工藝，氮化硅陶瓷覆銅板具有高強(qiáng)度性、高導(dǎo)熱性、高銅層結(jié)合力、高熱循環(huán)性性能優(yōu)勢(shì)。檢測(cè)氮化硅覆銅板一般從這幾項(xiàng)核心性能檢測(cè)開始。一，檢測(cè)氮化硅覆銅板高強(qiáng)度性能氮化硅覆銅板基材晶體是Si3N4，是一種共價(jià)鍵化合物，是結(jié)構(gòu)非常堅(jiān)固的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，具備高強(qiáng)度特征。氮化硅覆銅板的高強(qiáng)度性體現(xiàn)在抗彎強(qiáng)度，經(jīng)過(guò)檢測(cè)抗彎強(qiáng)度在700MPa以上，則說(shuō)明強(qiáng)度較高，復(fù)合要求。二，檢測(cè)氮化硅覆銅板導(dǎo)熱性氮化硅覆銅板導(dǎo)熱性，比氮化鋁覆銅板導(dǎo)熱低一些，導(dǎo)熱系數(shù)在85W~95W之間，耐高溫1300度以上。三，檢測(cè)氮化硅覆銅板銅層結(jié)合力氮化硅覆銅板銅層結(jié)合力比較高，經(jīng)過(guò)AMB工藝制作的氮化硅陶瓷覆銅板銅層結(jié)合力在28N/mm以上。四，檢

2022-03-21 http://m.nimazhi.cn/Article/danhuaguifutongbanxu.html
[常見問(wèn)題]氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對(duì)比差異

氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對(duì)比差異氮化硅基板、氮化鋁基板、氧化鋁基板都是陶瓷基板，在散熱性、絕緣性、導(dǎo)熱性都很不錯(cuò)，在各大需要散熱、絕緣、高頻等領(lǐng)域產(chǎn)品發(fā)揮了非常重要的左右，尤其是對(duì)汽車電子、消費(fèi)電子、電力、通訊、交通軌道、醫(yī)療、半導(dǎo)體、LED等領(lǐng)域作用非常大，那么氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對(duì)比有什么差異呢？一，首先是氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板材料和性能不同可以看出氮化鋁基板導(dǎo)熱性最突出；氮化硅陶瓷基板高強(qiáng)度要更高，更耐壓；氧化鋁陶瓷基板介電常數(shù)最高，氮化硅基板介電損耗最低，熱膨脹系數(shù)氮化硅基最低。二，氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板市場(chǎng)應(yīng)用不同基于氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板特性不同，應(yīng)用領(lǐng)域有所不同，氮化鋁基板導(dǎo)熱性非常高

2022-01-18 http://m.nimazhi.cn/Article/danhuaguijibanyudanh.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB基板將成為大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體模塊封裝核心需求

大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體封裝基板是用DBC基板好呢還是用AMB基板好，AMB基板具有更好導(dǎo)熱性能的同時(shí)，熱循環(huán)非常好，熱阻小，可以成載更大電流和電壓等。未來(lái)amb陶瓷基板將成為大功率IGTB和第三代半導(dǎo)體模塊封裝基板的“香餑餑”。

2022-01-06 http://m.nimazhi.cn/Article/AMBjibanjiangchengwe.html
[常見問(wèn)題]AMB陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度怎么樣

AMB陶瓷覆銅基板經(jīng)過(guò)活性釬焊工藝制作，銅層的附著力也叫結(jié)合力通常是用剝離強(qiáng)度來(lái)體現(xiàn)的。那么AMB陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度是不是要比DBC陶瓷覆銅基板的要強(qiáng)，我們通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)看看AMB陶瓷覆銅基板的剝離強(qiáng)度數(shù)據(jù)。

2022-01-05 http://m.nimazhi.cn/Article/AMBtaocifutongjibanb.html