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[行業(yè)動態(tài)]Bosch Research通過3D打印技術制造陶瓷覆銅基板

電力電子器件采用雙面覆銅陶瓷基板，傳統(tǒng)制造和處理功能結構的方法復雜且昂貴。尤其是由于功能結構較小，使用貼裝工藝來制造和處理這些結構的成本高昂且過程復雜。此外，功能結構與基板的連接需要額外的制造和連接工藝，例如燒結，這些工藝可能在功能結構和基板之間產(chǎn)生熱阻。

2024-08-13 http://m.nimazhi.cn/Article/BoschResearchtongguo.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的制作工藝

采用通過磁控濺射，圖形化光刻，干法濕法蝕刻，電鍍加厚工藝，在陶瓷基板上制作出超細線條電路圖形。

2024-07-03 http://m.nimazhi.cn/Article/taocijibandezhizuogo.html
[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應用

隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率IGBT模塊的需求日益增長。相較于其他應用領域，車規(guī)級 IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。據(jù)報道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導至熱沉上，從而實現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。閱讀本文前，歡迎識別二維碼加入艾邦IGBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈交流群。

2024-03-11 http://m.nimazhi.cn/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板抗彎強度介紹

陶瓷材料的彎曲強度是金屬化陶瓷基板的一項重要性能，因為它在裝配過程中影響到基板的可靠性和強度。彎曲強度通常表征為陶瓷對拉伸強度的阻力。這取決于陶瓷材料和材料中宏觀缺陷的類型、分布以及測量、評估方法。

2023-12-15 http://m.nimazhi.cn/Article/taocifutongjibankang.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導率、更好的銅層結合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://m.nimazhi.cn/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://m.nimazhi.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://m.nimazhi.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導體器件中的應用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http://m.nimazhi.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

陶瓷材料在電子工業(yè)中扮演著重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導率高、化學穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性和熔點高等優(yōu)點。在電子線路的設計和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導熱通路以及用來制造各種電子元件，廣泛應用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領域。

2023-07-28 http://m.nimazhi.cn/Article/taocijibandexianzhua.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC直接鍵合陶瓷基板特性及應用

現(xiàn)代微電子技術發(fā)展迅猛,芯片功率及模塊功率密度大大升高,電子元件和系統(tǒng)工作熱耗散顯著增加。陶瓷覆銅基板具有優(yōu)異的導熱性、絕緣性、機械性能，廣泛應用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領域。

2023-07-26 http://m.nimazhi.cn/Article/DBCzhijiejianhetaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機構的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復合增長率為7.5%左右。預計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元，年復合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http://m.nimazhi.cn/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結構支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http://m.nimazhi.cn/Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動態(tài)]鋁基碳化硅（AlSiC）在IGBT上的應用

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設盡量暢通。

2023-06-26 http://m.nimazhi.cn/Article/lvjitanhuaguiAlSiCza.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷封裝將成為主流電子封裝技術

電子元件長期在高溫、高濕等環(huán)境下運轉將導致其性能惡化，甚至可能會被破壞。因而，需要采用有效的封裝方式，不斷提高封裝材料的性能，才能使得電子元件在外界嚴苛的使用環(huán)境下保持良好的穩(wěn)定性。

2023-06-14 http://m.nimazhi.cn/Article/taocifengzhuangjiang.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊生產(chǎn)工藝流程及主要設備

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT模塊生產(chǎn)過程主要是把晶圓貼片在陶瓷基板上，鍵合線，插針，點膠密封等過程。在閱讀本文之前，歡迎識別二維碼加入艾邦IGBT產(chǎn)業(yè)微信群；

2023-06-05 http://m.nimazhi.cn/Article/IGBTmokuaishengchang.html
[行業(yè)動態(tài)]超聲波掃描技術在IGBT模塊檢測的應用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型MOS場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。其具有高輸入阻抗，低導通壓降，高速開關特性和低導通狀態(tài)損耗等特點，非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲能裝置和新能源汽車等電力電子應用。

2023-05-17 http://m.nimazhi.cn/Article/chaoshengbosaomiaoji.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領域功率模塊封裝的不可或缺的關鍵基礎材料。

2023-04-17 http://m.nimazhi.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常見問題]銅基板和陶瓷基板有什么區(qū)別呢？

銅基板陶瓷基板都是具有電氣性能的電路板，都使用在高頻和高溫產(chǎn)品領域，但是陶瓷基板銅基板有什么區(qū)別呢...

2023-04-07 http://m.nimazhi.cn/Article/tongjibantaocijibany.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊構成各部件的材料

目前，功率器件和模塊主要采用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結構。圖1為普通IGBT模塊的結構示意圖。從上圖可以看出，IGBT模塊共由7層結構構成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散熱基板。每部分之間由焊錫連接而成。IGBT是在晶閘管的基礎上發(fā)展而來，但與傳統(tǒng)的晶閘管相比，IGBT模塊省去了內部的陰極和陽極金屬層，分別由芯片表面引出的焊線及DBC上層銅板代替。除此之外，原先的鎳金屬緩沖層也被去掉了，其代價是單個IGBT芯片的容量減少。為了彌補這一缺陷，需要在DBC板上安置更多的IGBT芯片。IGBT模塊是由不同的材料層構成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用來改善器件相關熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導率存在很大的差異，在器件的工作過程中會出現(xiàn)意想不到的問題。物理上，熱導率代表了物體導熱性能的

2023-03-16 http://m.nimazhi.cn/Article/IGBTmokuaigouchengge.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊材料特性的熱導率和熱膨脹系數(shù)

IGBT功率模塊內部由多層堆疊而成，各層的材料不同，其主要的作用也不同。金屬、陶瓷、硅凝膠和環(huán)氧樹脂塑料等，是目前功率半導體器件封裝的主要材料。不同材料的不同特性對IGBT器件的整體性能有著十分重要的影響，其中最主要的是影響散熱效果的材料熱導率和影響封裝體內部各層間應力的材料熱膨脹系數(shù)。1.材料的熱導率材料的熱導率體現(xiàn)了材料的導熱能力，熱導率越大，散熱效果越好，熱阻越小。根據(jù)現(xiàn)有資料，金屬（水銀除外）往往比非金屬的熱導率要大，純金屬的熱導率比合金熱導率大，合金比金屬-非金屬混合物熱導率大。IGBT模塊內部結構主要由基板、DBC板、焊接材料和其他封裝材料組成。常見DBC板材料的熱導率如表1所示。BeO陶瓷的熱導率最高，但由于BEO粉末有毒性，在生產(chǎn)制造過程中較為麻煩，限制了在工業(yè)中的廣泛應用。AH2O3陶瓷絕緣性

2023-03-13 http://m.nimazhi.cn/Article/IGBTmokuaicailiaotex.html